1Laboratorio Cavendish, Universidad de Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, Reino Unido
2Quantum Motion, 9 Sterling Way, Londres N7 9HJ, Reino Unido
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Resumen
Los puntos cuánticos semiconductores operados dinámicamente son la base de muchas tecnologías cuánticas, como los sensores cuánticos y las computadoras. Por lo tanto, modelar sus propiedades eléctricas en frecuencias de microondas se vuelve esencial para simular su desempeño en circuitos electrónicos más grandes. Aquí, desarrollamos un formalismo de ecuación maestra cuántica autoconsistente para obtener la admitancia de un túnel de puntos cuánticos acoplado a un depósito de carga bajo el efecto de un baño de fotones coherente. Encontramos una expresión general para la admitancia que captura el conocido límite semiclásico (térmico), junto con la transición a regímenes de vida útil y ampliación de potencia debido al mayor acoplamiento al depósito y la amplitud del impulso fotónico, respectivamente. Además, describimos dos nuevos regímenes mediados por fotones: ampliación de floquet, determinada por la vestimenta de los estados QD, y ampliación determinada por la pérdida de fotones en el sistema. Nuestros resultados proporcionan un método para simular el comportamiento de alta frecuencia de los QD en una amplia gama de límites, describen experimentos anteriores y proponen exploraciones novedosas de las interacciones QD-fotón.
Imagen de portada: Dinámica de una caja de un solo electrón impulsada desde un punto de vista de circuito, semiclásico y mecánico cuántico (Floquet)
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Citado por
[1] Mathieu de Kruijf, Grayson M. Noah, Alberto Gomez-Saiz, John JL Morton y M. Fernando Gonzalez-Zalba, “Medición del calentamiento crioelectrónico utilizando un termómetro de punto cuántico local en silicio”, arXiv: 2310.11383, (2023).
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- Fuente: https://quantum-journal.org/papers/q-2024-03-21-1294/
